D64DS7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D64DS7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для D64DS7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64DS7 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D62T7530, D62T7540, D62T7550, D62T7560, D62T8030, D62T8040, D64DS5, D64DS6, MJE340, D64DV5, D64DV6, D64DV7, D64ES5, D64ES6, D64ES7, D64EV5, D64EV6