D64ES7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D64ES7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для D64ES7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64ES7 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64DS5, D64DS6, D64DS7, D64DV5, D64DV6, D64DV7, D64ES5, D64ES6, BC546, D64EV5, D64EV6, D64EV7, D64TS3, D64TS5, D64VE3, D64VE4, D64VE5