D64EV6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D64EV6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для D64EV6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64EV6 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64DS7, D64DV5, D64DV6, D64DV7, D64ES5, D64ES6, D64ES7, D64EV5, BD135, D64EV7, D64TS3, D64TS5, D64VE3, D64VE4, D64VE5, D64VP3, D64VP4