D64TS3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D64TS3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для D64TS3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64TS3 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64DV6, D64DV7, D64ES5, D64ES6, D64ES7, D64EV5, D64EV6, D64EV7, BC558, D64TS5, D64VE3, D64VE4, D64VE5, D64VP3, D64VP4, D64VP5, D64VS3