D64VE3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: D64VE3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 109 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам