D64VS4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D64VS4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 360 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для D64VS4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64VS4 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64TS5, D64VE3, D64VE4, D64VE5, D64VP3, D64VP4, D64VP5, D64VS3, TIP42, D64VS5, D66DS5, D66DS6, D66DS7, D66DV5, D66DV6, D66DV7, D66DW1