D66DS7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D66DS7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для D66DS7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D66DS7 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64VP3, D64VP4, D64VP5, D64VS3, D64VS4, D64VS5, D66DS5, D66DS6, 2SB817, D66DV5, D66DV6, D66DV7, D66DW1, D66DW2, D66DW3, D66ES5, D66ES6