D66DV6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D66DV6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для D66DV6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D66DV6 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D64VP5, D64VS3, D64VS4, D64VS5, D66DS5, D66DS6, D66DS7, D66DV5, 2SC2655, D66DV7, D66DW1, D66DW2, D66DW3, D66ES5, D66ES6, D66ES7, D66EV5