Биполярный транзистор D66DW3 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: D66DW3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 167 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO53
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам