D66ES6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D66ES6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для D66ES6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D66ES6 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D66DS7, D66DV5, D66DV6, D66DV7, D66DW1, D66DW2, D66DW3, D66ES5, 2SC5198, D66ES7, D66EV5, D66EV6, D66EV7, D66EW1, D66EW2, D66EW3, D67DE5