D66EW3 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: D66EW3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 167 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO53
Аналоги (замена) для D66EW3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
D66EW3 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: D66ES5, D66ES6, D66ES7, D66EV5, D66EV6, D66EV7, D66EW1, D66EW2, 2SA1015, D67DE5, D67DE6, D67DE7, D6C, D7, D72F5T1, D72F5T2, D72FY4D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor
