D7ST1010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D7ST1010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3000 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: DISK51

 Аналоги (замена) для D7ST1010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D7ST1010 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D7E3, D7F1, D7F2, D7F3, D7G1, D7G2, D7G3, D7ST1008, BD140, D7ST1012, D7ST4010, D7ST4013, D7ST4015, D7ST4017, D7ST4020, D7ST4510, D7ST4513