Биполярный транзистор D7ST5010 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: D7ST5010
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3000 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: DISK51
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам