D7ST5017 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D7ST5017

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3000 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: DISK51

 Аналоги (замена) для D7ST5017

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D7ST5017 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D7ST4510, D7ST4513, D7ST4515, D7ST4517, D7ST4520, D7ST5010, D7ST5013, D7ST5015, BC327, D7ST5020, D7ST5040, D8, DAT2, DBC146-4A, DBC146-4B, DBC146-4C, DBC201