DBW52B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DBW52B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для DBW52B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DBW52B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DAT2, DBC146-4A, DBC146-4B, DBC146-4C, DBC201, DBC202, DBC203, DBW47, BD135, DBW54D, DC5001, DC5021, DC5022, DC5023, DC5108, DC5141, DC5142