Биполярный транзистор DT100-1000 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: DT100-1000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: SPECIAL
     - подбор биполярного транзистора по параметрам