DT100-1000 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DT100-1000

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для DT100-1000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT100-1000 даташит

 9.1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

DT100-1000

Green Product MPG100N06 60VN-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100A DS D The MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие транзисторы: DPT121, DPT122, DPT123, DPT124, DPT2600, DQN1006, DR42R2-126, DR42R2-220, 2N5401, DT100-1100, DT100-1200, DT1003, DT100-800, DT100-900, DT1110, DT1111, DT1112