DT100-1000 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DT100-1000 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DT100-1000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 850 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: SPECIAL
 

 Аналоги (замена) для DT100-1000

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT100-1000 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:222K  cn minos
 mpg100n06 mdt100n06 mps100n06.pdf pdf_icon

DT100-1000

Green ProductMPG100N0660VN-Channel Power MOSFETDESCRIPTION KEYCHARACTERISTICS V =60V,I =100ADS DThe MPG100N06 uses advanced trench technology to provide R

Другие транзисторы... DPT121 , DPT122 , DPT123 , DPT124 , DPT2600 , DQN1006 , DR42R2-126 , DR42R2-220 , 2N3904 , DT100-1100 , DT100-1200 , DT1003 , DT100-800 , DT100-900 , DT1110 , DT1111 , DT1112 .

History: 2SA1707T-AN | 2SA1425O | 2SD636 | 2SA1356O | BCW30CSM | FMC1A | BC298-8

 

 
Back to Top

 


 
.