DT1110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DT1110

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для DT1110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT1110 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DR42R2-126, DR42R2-220, DT100-1000, DT100-1100, DT100-1200, DT1003, DT100-800, DT100-900, S8050, DT1111, DT1112, DT1120, DT1121, DT1122, DT1311, DT1312, DT1321