2N3500 - описание и поиск аналогов

 

2N3500. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3500

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N3500

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3500 даташит

 ..1. Size:310K  cdil
2n3498 99 2n3500 01.pdfpdf_icon

2N3500

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N3498, 2N3499, 2N3500, 2N3501 TO-39 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL TEST CONDITION 2N3498 2N3500 UNITS 2N3499 2N3501 VCEO Collector Emitter Voltage 100 150 V VCBO Collector Base Voltage 100

 0.1. Size:67K  central
2n3500-2n3501.pdfpdf_icon

2N3500

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.2. Size:106K  microsemi
2n3500l.pdfpdf_icon

2N3500

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANSD 10K Rads (Si) 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANSP 30K Rads (Si)

 9.1. Size:11K  semelab
2n3509csm.pdfpdf_icon

2N3500

2N3509CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 20V A = (0.04 0.004

Другие транзисторы... 2N3498 , 2N3498S , 2N3499 , 2N3499S , 2N349A , 2N34A , 2N35 , 2N350 , 2SC2383 , 2N3500S , 2N3501 , 2N3501CSM4 , 2N3501DCSM , 2N3501L , 2N3501S , 2N3502 , 2N3503 .

History: MPSW51ARLRAG

 

 

 


 
↑ Back to Top
.