DT200-900 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DT200-900
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1500 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7
Корпус транзистора: SPECIAL
Аналоги (замена) для DT200-900
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DT200-900 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DT1602, DT1603, DT1610, DT1612, DT1613, DT1621, DT200-700, DT200-800, MJE340, DT3200, DT3201, DT32-1050, DT3301, DT3302, DT34-1050, DT34-300, DT34-400
History: DRA9A13Z | DRA9A14E | LBC849BLT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent
