2N3501CSM4 - описание и поиск аналогов

 

2N3501CSM4 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N3501CSM4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для 2N3501CSM4

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3501CSM4 - технические параметры

 8.1. Size:67K  central
2n3500-2n3501.pdfpdf_icon

2N3501CSM4

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.2. Size:106K  microsemi
2n3501ub.pdfpdf_icon

2N3501CSM4

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANSD 10K Rads (Si) 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANSP 30K Rads (Si)

 9.1. Size:11K  semelab
2n3509csm.pdfpdf_icon

2N3501CSM4

2N3509CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 20V A = (0.04 0.004

 9.2. Size:10K  semelab
2n3509dcsm.pdfpdf_icon

2N3501CSM4

2N3509DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 20V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.0

Другие транзисторы... 2N3499S , 2N349A , 2N34A , 2N35 , 2N350 , 2N3500 , 2N3500S , 2N3501 , 2N2907 , 2N3501DCSM , 2N3501L , 2N3501S , 2N3502 , 2N3503 , 2N3504 , 2N3505 , 2N3506 .

History: 2SA618

 

 
Back to Top

 


 
.