DT49-850 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DT49-850

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3000 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 400 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: DISK42

 Аналоги (замена) для DT49-850

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DT49-850 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DT46-1100, DT46-1200, DT47-1000, DT47-1050, DT47-950, DT48-850, DT48-950, DT49-750, TIP2955, DT500-1000, DT500-800, DT500-900, DT51-700, DT51-800, DT52-650, DT52-750, DT5335