DT51-800 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DT51-800
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1700 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7
Корпус транзистора: SPECIAL
Аналоги (замена) для DT51-800
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DT51-800 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DT48-850, DT48-950, DT49-750, DT49-850, DT500-1000, DT500-800, DT500-900, DT51-700, BC639, DT52-650, DT52-750, DT5335, DT5336, DT53-600, DT53-700, DT600-450, DT600-500
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554
