2N3502 - описание и поиск аналогов

 

2N3502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3502

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 115

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N3502

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3502 даташит

 ..1. Size:23K  semelab
2n3502 2n3503 2n3504 2n3505.pdfpdf_icon

2N3502

2N3502 2N3503 2N3504 2N3505 MECHANICAL DATA PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) TRANSISTORS 5.31 (0.209) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FEATURES 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP dia. TRANSISTOR 2.54 (0.100) Nom. 3 1 2 TO18 METAL PACKAGE PIN 1 Emitter PIN 2 Base PIN 3 Collector

 9.1. Size:67K  central
2n3500-2n3501.pdfpdf_icon

2N3502

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:11K  semelab
2n3509csm.pdfpdf_icon

2N3502

2N3509CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 20V A = (0.04 0.004

 9.3. Size:10K  semelab
2n3509dcsm.pdfpdf_icon

2N3502

2N3509DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 20V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.0

Другие транзисторы... 2N350 , 2N3500 , 2N3500S , 2N3501 , 2N3501CSM4 , 2N3501DCSM , 2N3501L , 2N3501S , S9018 , 2N3503 , 2N3504 , 2N3505 , 2N3506 , 2N3506L , 2N3506S , 2N3507 , 2N3507L .

History: CFD811 | FMMT92CSM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.