DTA123ESA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTA123ESA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для DTA123ESA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA123ESA даташит

 ..1. Size:68K  rohm
dta123ee-eua-eka 12sot416 323 346 dta123eka dta123esa.pdfpdf_icon

DTA123ESA

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTA123EE / DTA123EUA / DTA123EKA / DTA123ESA FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow positive bi

 6.1. Size:416K  nxp
pdta123ee pdta123eef pdta123ek pdta123em pdta123es pdta123et pdta123eu.pdfpdf_icon

DTA123ESA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.2. Size:139K  nxp
pdta123eef pdta123ek pdta123es.pdfpdf_icon

DTA123ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 02 Supersedes data of 2004 Apr 07 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.1. Size:56K  motorola
pdta123et 3.pdfpdf_icon

DTA123ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA123ET PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design 3 ndbook, 4 columns

Другие транзисторы: DTA115GKA, DTA115GUA, DRAQA23E, DTA115TKA, DTA115TSA, DTA115TUA, DRAQA24T, DTA123EKA, TIP35C, DTA123EUA, DTA124XM3, DTA123JKA, DTA123JSA, DTA124XKAFRA, DTA123YKA, DTA123YSA, DTA123YUA