Биполярный транзистор DTC114TSA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DTC114TSA
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92S
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DTC114TSA Datasheet (PDF)
dtc114tca dtc114tka dtc114tsa dtc114tua.pdf

DTC114TE/DTC114TUA/DTC114TKADTC114TCA/TC114TSAElektronische BauelementeNPN Digital Transistors (Built-in Resistors)FEATURES* Built-in bias resistors enable the configuration ofan inverter circuit without connecting input resistors* Only the on/off confitions need to be set for operation,making device design easy.* The bias resistors consis of thin-film resistors withcompete
dtc114tm dtc114te dtc114tua dtc114tka dtc114tca dtc114tsa.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114TM/DTC114TE/DTC114TUADTC114TKA /DTC114TCA/DTC114TSA Equivalent CircuitDIGITAL TRANSISTOR (NPN) FEATURES Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuitwithout connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of t
pdtc114ts 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC114TSNPN resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TSFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit desi
pdtc114ts 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC114TSNPN resistor-equipped transistor1998 May 18Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC114TSFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit desi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SC3710Y | TD13005SMD | 3DG5088 | GSTU10030 | 2SD1567 | GI2716 | KSB1017R
History: 2SC3710Y | TD13005SMD | 3DG5088 | GSTU10030 | 2SD1567 | GI2716 | KSB1017R



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent