DTC115ESA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC115ESA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для DTC115ESA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115ESA даташит

 ..1. Size:70K  rohm
dtc115eka dtc115esa dtc115eua.pdfpdf_icon

DTC115ESA

DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA Transistors DTC115EKA / DTC115ESA Digital transistors (built-in resistors) DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA DTC115EKA / DTC115ESA Equivalent circuit Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit R1 OUT without connecting external input resistors (see the equivalent IN circuit). R2 2) The bias resistors consist o

 6.1. Size:138K  nxp
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdfpdf_icon

DTC115ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.1. Size:182K  philips
pdtc115e series.pdfpdf_icon

DTC115ESA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.2. Size:180K  rohm
dtc115eeb.pdfpdf_icon

DTC115ESA

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTC115EEB Applications Dimensions (Unit mm) EMT3F Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) Each bias resistor is a thin-film resistor. Since they are completely insu

Другие транзисторы: DTC114WKA, DTC114WUA, DTC114YCA, DTC144TC3, DTC114YKA, DTC115ECA, DTC144GE, DTC115EKA, 2SA1837, DTC115EUA, DTC115GKA, DTC115GUA, DTC115TKA, DTC115TSA, DTC115TUA, DTC144EY3, DTC123EKA