Биполярный транзистор 2N3513 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N3513
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO71-3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам