EMB61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB61

Маркировка: B61

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB61 даташит

 ..1. Size:778K  rohm
 emb61.pdf pdf_icon

EMB61

EMB61 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k EMB61 R2 (SC-107C) 10k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA014E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminatin

Другие транзисторы: DTC144ECA, EMB75, DTC144EKA, DTC144EUA, EMB6FHA, DTC144GKA, DTC144GSA, DTC144GUA, 2N5551, DTC144TKA, DTC144TSA, DTC144TUA, EMB60, DTC144VKA, DTC144VUA, EMB59, EMB6