EMB6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB6

Маркировка: B6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB6 даташит

 ..1. Size:477K  rohm
emb6.pdfpdf_icon

EMB6

EMB6 / UMB6N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 47kW. 2) Tw

 0.1. Size:692K  rohm
emb60.pdfpdf_icon

EMB6

EMB60 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 2.2k EMB60 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA023J chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminati

 0.2. Size:778K  rohm
emb61.pdfpdf_icon

EMB6

EMB61 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k EMB61 R2 (SC-107C) 10k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA014E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminatin

 0.3. Size:1274K  rohm
emb6fha.pdfpdf_icon

EMB6

EMB6 / UMB6N EMB6FHA / UMB6NFHA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMB6 UMB6N EMB6FHA UMB6NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circui

Другие транзисторы: EMB61, DTC144TKA, DTC144TSA, DTC144TUA, EMB60, DTC144VKA, DTC144VUA, EMB59, BC337, DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, EMB3FHA