DTC314TS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC314TS

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для DTC314TS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC314TS даташит

 7.1. Size:66K  rohm
 dtc314tk dtc314tu-tk h04 sot323 346.pdf pdf_icon

DTC314TS

Transistors Digital transistors (built-in resistor) DTC314TU / DTC314TK / DTC314TS FFeatures FExternal dimensions (Units mm) In addition to the features of regular dig- ital transistors, 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 40mV at IC / IB = 50mA / 2.5mA, makes these transistors ideal for muting circuits. 2) These transistors can be used at high current levels, IC = 600mA

 7.2. Size:66K  rohm
 dtc314tu.pdf pdf_icon

DTC314TS

Transistors Digital transistors (built-in resistor) DTC314TU / DTC314TK / DTC314TS FFeatures FExternal dimensions (Units mm) In addition to the features of regular dig- ital transistors, 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 40mV at IC / IB = 50mA / 2.5mA, makes these transistors ideal for muting circuits. 2) These transistors can be used at high current levels, IC = 600mA

 7.3. Size:90K  chenmko
 chdtc314tkgp.pdf pdf_icon

DTC314TS

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC314TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA

 7.4. Size:95K  chenmko
 chdtc314tugp.pdf pdf_icon

DTC314TS

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC314TUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE SC-70/SOT-323 * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMB59, EMB6, DTC144WKA, DTC144WUA, EMB51, EMB52, DTC314TK, EMB53, TIP3055, EMB3FHA, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK