Справочник транзисторов. EMB2FHA

 

Биполярный транзистор EMB2FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMB2FHA
   Маркировка: B2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMB2FHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB2FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  rohm
 emb2fha.pdf pdf_icon

EMB2FHA

EMB2 / UMB2N / IMB2AEMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R147kWEMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

 ..2. Size:1340K  rohm
 emb2fha umb2nfha imb2afra.pdf pdf_icon

EMB2FHA

EMB2 / UMB2N / IMB2AEMB2FHA / UMB2NFHA / IMB2AFRADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R147kWEMB2 UMB2N EMB2FHA UMB2NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SM

Другие транзисторы... EMB53 , DTC314TS , EMB3FHA , EMB4 , EMB4FHA , DTC343TK , EMB3 , DTC343TS , 100DA025D , DTC363EK , DTC363EU , DTD113EK , DTD113ES , DTD114EK , DTD114ES , DTD123EK , DTD123ES .

History: EML17 | 2N6474

 

 
Back to Top

 


 
.