Справочник транзисторов. DTC363EK

 

Биполярный транзистор DTC363EK Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTC363EK
   Маркировка: H27
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 6.8 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 6.8 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SC59 SOT346
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTC363EK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  rohm
 dtc363ek dtc363eu-ek h27 sot323 346.pdf pdf_icon

DTC363EK

TransistorsDigital transistors (built-in resistors)DTC363EU / DTC363EK / DTC363ESFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)In addition to the features of regular dig-ital transistors,1) Low VO(on) makes these transistorsoptimal for muting circuits.VO(on) = 40mV (Typ.)(IO/II = 50mA/2.5mA)2) They can be used at high current (IC= 600mA).FStructureNPN digital transistor(

 0.1. Size:139K  chenmko
 chdtc363ekgp.pdf pdf_icon

DTC363EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC363EKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabi

 7.1. Size:76K  rohm
 dtc363eu.pdf pdf_icon

DTC363EK

TransistorsDigital transistors (built-in resistors)DTC363EU / DTC363EK / DTC363ESFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)In addition to the features of regular dig-ital transistors,1) Low VO(on) makes these transistorsoptimal for muting circuits.VO(on) = 40mV (Typ.)(IO/II = 50mA/2.5mA)2) They can be used at high current (IC= 600mA).FStructureNPN digital transistor(

 7.2. Size:138K  chenmko
 chdtc363eugp.pdf pdf_icon

DTC363EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC363EUGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)SC-70/SOT-323* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.