DTC363EK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC363EK

Маркировка: H27

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 6.8 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 6.8 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SC59 SOT346

 Аналоги (замена) для DTC363EK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC363EK даташит

 ..1. Size:76K  rohm
 dtc363ek dtc363eu-ek h27 sot323 346.pdf pdf_icon

DTC363EK

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) In addition to the features of regular dig- ital transistors, 1) Low VO(on) makes these transistors optimal for muting circuits. VO(on) = 40mV (Typ.) (IO/II = 50mA/2.5mA) 2) They can be used at high current (IC = 600mA). FStructure NPN digital transistor (

 0.1. Size:139K  chenmko
 chdtc363ekgp.pdf pdf_icon

DTC363EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 7.1. Size:76K  rohm
 dtc363eu.pdf pdf_icon

DTC363EK

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTC363EU / DTC363EK / DTC363ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) In addition to the features of regular dig- ital transistors, 1) Low VO(on) makes these transistors optimal for muting circuits. VO(on) = 40mV (Typ.) (IO/II = 50mA/2.5mA) 2) They can be used at high current (IC = 600mA). FStructure NPN digital transistor (

 7.2. Size:138K  chenmko
 chdtc363eugp.pdf pdf_icon

DTC363EK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC314TS, EMB3FHA, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, 2N2222A, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, DTD114EK, DTD114ES, DTD123EK, DTD123ES, DTD143EC