DTD113ES datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD113ES

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для DTD113ES

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD113ES даташит

 ..1. Size:60K  rohm
dtd113es dtd113ek.pdfpdf_icon

DTD113ES

Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTD113EK / DTD113ES FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative biasing of the input. They

 0.1. Size:123K  nxp
pdtd113ek pdtd113es.pdfpdf_icon

DTD113ES

PDTD113E series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EK PDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.1. Size:123K  philips
pdtd113e ser.pdfpdf_icon

DTD113ES

PDTD113E series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 1 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EK PDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.2. Size:136K  rohm
dtd113ek.pdfpdf_icon

DTD113ES

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD113EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD113EK 0.4 0.8 Features ( ) 3 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1) 2)The bias resistors consist of thin-f

Другие транзисторы: EMB4FHA, DTC343TK, EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, 2SD1047, DTD114EK, DTD114ES, DTD123EK, DTD123ES, DTD143EC, DTD143EK, DTD143ES, DTD163TA