Справочник транзисторов. DTD114ES

 

Биполярный транзистор DTD114ES Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTD114ES
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC72
 

 Аналог (замена) для DTD114ES

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD114ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  rohm
dtd114es dtd114ek.pdfpdf_icon

DTD114ES

DTD114EK / DTD114ES Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK / DTD114ES Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1DTD114EK0.4 0.8(3) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (2) (1)(see equivalent circui

 7.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 7.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 7.3. Size:159K  rohm
dtd114ek.pdfpdf_icon

DTD114ES

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1DTD114EK0.4 0.8 Features (3)1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1)2)The bias resistors consist of thin-film

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.