DTD114ES datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD114ES

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для DTD114ES

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD114ES даташит

 ..1. Size:84K  rohm
dtd114es dtd114ek.pdfpdf_icon

DTD114ES

DTD114EK / DTD114ES Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK / DTD114ES Applications External dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 (3) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (2) (1) (see equivalent circui

 7.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

 7.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114ES

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

 7.3. Size:159K  rohm
dtd114ek.pdfpdf_icon

DTD114ES

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 Features (3) 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1) 2)The bias resistors consist of thin-film

Другие транзисторы: EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, DTD114EK, S9014, DTD123EK, DTD123ES, DTD143EC, DTD143EK, DTD143ES, DTD163TA, DTD163TF, DTD163TK