DTD114ES datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTD114ES
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SC72
Аналоги (замена) для DTD114ES
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTD114ES даташит
dtd114es dtd114ek.pdf
DTD114EK / DTD114ES Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK / DTD114ES Applications External dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 (3) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (2) (1) (see equivalent circui
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo
dtd114ek.pdf
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTD114EK 0.4 0.8 Features (3) 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). (2) (1) 2)The bias resistors consist of thin-film
Другие транзисторы: EMB3, DTC343TS, EMB2FHA, DTC363EK, DTC363EU, DTD113EK, DTD113ES, DTD114EK, S9014, DTD123EK, DTD123ES, DTD143EC, DTD143EK, DTD143ES, DTD163TA, DTD163TF, DTD163TK
History: DTD113ES
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381












