DTN1006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTN1006  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для DTN1006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTN1006 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DTL8045, DTL8070, DTL8071, DTL8751, DTL8752, DTL8753, DTL8754, DTL8755, 13009, DTN9000, DTN9000T, DTN9001, DTN9001T, DTS1010, DTS1020, DTS103, DTS105