DTN9000 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTN9000  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для DTN9000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTN9000 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DTL8070, DTL8071, DTL8751, DTL8752, DTL8753, DTL8754, DTL8755, DTN1006, 2N3906, DTN9000T, DTN9001, DTN9001T, DTS1010, DTS1020, DTS103, DTS105, DTS106