DTN9001T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: DTN9001T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO237
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам