DTN9001T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTN9001T  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO237

 Аналоги (замена) для DTN9001T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTN9001T даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DTL8752, DTL8753, DTL8754, DTL8755, DTN1006, DTN9000, DTN9000T, DTN9001, 2N2222A, DTS1010, DTS1020, DTS103, DTS105, DTS106, DTS107, DTS108, DTS2000