DTS106 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTS106 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для DTS106
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTS106 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DTN9000, DTN9000T, DTN9001, DTN9001T, DTS1010, DTS1020, DTS103, DTS105, S9014, DTS107, DTS108, DTS2000, DTS2001, DTS2002, DTS2003, DTS310, DTS311
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a
