DTS665 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTS665 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для DTS665
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTS665 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: DTS516, DTS517, DTS518, DTS519, DTS520, DTS520MX, DTS660, DTS663, S9018, DTS701, DTS702, DTS704, DTS708, DTS709, DTS710, DTS712, DTS714
History: DK150
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306
