DTS801 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTS801  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для DTS801

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTS801 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: DTS708, DTS709, DTS710, DTS712, DTS714, DTS720, DTS721, DTS723, BC547, DTS802, DTS804, DTS812, DTS812MX, DTS814, DW6089, DW6170, DW6208