Биполярный транзистор DTS812 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: DTS812
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2.2
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам