ED1601D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ED1601D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 290
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ED1601D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ED1601D даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ED1502B, ED1502C, ED1502D, ED1502E, ED1601, ED1601A, ED1601B, ED1601C, TIP42, ED1601E, ED1602, ED1602A, ED1602B, ED1602C, ED1602D, ED1602E, ED1701
History: 2SC463 | 2N1616A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor