ED1701M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ED1701M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ED1701M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ED1701M даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ED1602A, ED1602B, ED1602C, ED1602D, ED1602E, ED1701, ED1701K, ED1701L, 2222A, ED1701N, ED1702, ED1702K, ED1702L, ED1702M, ED1702N, ED1801, ED1801K
History: ED1702L | KZT4403
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100