ED1802N - описание и поиск аналогов

 

ED1802N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ED1802N

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 213

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для ED1802N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ED1802N даташит

 8.1. Size:50K  philips
 ed1802.pdf pdf_icon

ED1802N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 ED1802 PNP general purpose transistor 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 May 27 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor ED1802 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 25 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector

Другие транзисторы: ED1801K, ED1801L, ED1801M, ED1801N, ED1802, ED1802K, ED1802L, ED1802M, MPSA42, ED2502, ED592, ED8050, ED8050C, ED8550, ED8550C, EFT212, EFT213

 

 

 

 

↑ Back to Top
.