EFT332. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: EFT332
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для EFT332
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
EFT332 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: EFT313, EFT317, EFT319, EFT320, EFT321, EFT322, EFT323, EFT331, 2N5401, EFT333, EFT341, EFT342, EFT343, EFT367, EFT373, EFT377, EJ5027
History: BF262 | 2SC3889 | LMBT3904DW1T1G | EN2219 | 2N1868 | 2N162A | 2N1657
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638
