ESM1000T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ESM1000T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 150 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12
Корпус транзистора: TO83
Аналоги (замена) для ESM1000T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ESM1000T даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: ES3120, ES3121, ES3122, ES3123, ES3124, ES3125, ES3126, ESM1000, 2SC5200, ESM10040, ESM10045, ESM10050, ESM113, ESM114, ESM117, ESM118, ESM12A
History: BC239C-92 | MP4249 | 2SC2482-Y
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627