ESM2060T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ESM2060T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 90 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO83
Аналоги (замена) для ESM2060T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ESM2060T даташит
esm2012.pdf
ESM2012DV NPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERS ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы: ESM16A, ESM16B, ESM18, ESM191, ESM2012DV, ESM2030DV, ESM2040D, ESM2060, 2SC1815, ESM2070D, ESM213, ESM214, ESM217, ESM218, ESM2369, ESM259, ESM260
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613