Биполярный транзистор 3CA200E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CA200E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3
3CA200E Datasheet (PDF)
3ca200.pdf
3CA200 PNP A B C D E F PCM TC=25 200 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.75 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=5mA 25 50 100 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 A
3ca2050.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors TO 220F 3CA2050 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR High Breakdown Voltage General Purpose Switching and Amplification 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -180 V VCEO Collector-Emi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050