Биполярный транзистор ESM738T Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: ESM738T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO83
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам