F116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F116

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для F116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F116 даташит

 0.1. Size:314K  gdr
 sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119.pdf pdf_icon

F116

 0.2. Size:123K  gdr
 sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf pdf_icon

F116

 0.3. Size:112K  ssdi
 sff116n10m sff116n10z.pdf pdf_icon

F116

SFF116N10M Solid State Devices, Inc. SFF116N10Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 116 AMP , 100 Volts, 15 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF116N10 ___ ___ ____ Screening 2/ MOSFET __ = Not Scre

Другие транзисторы: F108, F109, F110, F111, F112, F113, F114, F115, BC549, F117, F117A, F118, F118A, F119, F119A, F120, F120A